ITO靶材，全称氧化铟锡靶材，是一种专门用于磁控溅射镀膜的材料。氧化铟锡（简称ITO）是一种n型半导体材料，通常由90%的氧化铟（In₂O₃）和10%的氧化锡（SnO₂）组成。这种材料以其的透明度和导电性，成为现代电子工业中不可或缺的组成部分。无论是智能手机的触摸屏、平板电脑的显示面板，还是太阳能电池的透明电极，ITO靶材都以其独特的功能支撑着这些设备的运行。

从化学角度看，ITO是一种复合氧化物，其性能很大程度上取决于氧化铟和氧化锡的比例。氧化铟提供高透明度，而氧化锡的掺杂则增强了材料的导电性。通过控制这两者的配比，ITO能够在保持光学透明的同时，具备接近金属的导电能力。这种“透明却导电”的特性，使得ITO成为制造透明导电膜的理想选择。

从物理性质上看，ITO靶材具有以下几个显著特点：

高透明度：在可见光范围内（波长400-700纳米），ITO薄膜的透光率可高达90%以上，几乎与普通玻璃相当。

优异导电性：其电阻率通常在10⁻⁴欧姆·厘米的量级，远低于大多数透明材料。

化学稳定性：在常温下，ITO对水、氧气等环境因素表现出良好的抗腐蚀能力。

机械耐久性：ITO薄膜具备一定的硬度和耐磨性，能够应对日常使用中的轻微刮擦。

这些特性让ITO靶材在实际应用中游刃有余，尤其是在需要兼顾光学和电学性能的场景中。

制造ITO靶材是一项技术密集型的工作，涉及从原料配比到成型加工的多个环节。高质量的ITO靶材需要具备高密度、均匀性和稳定性，而这些要求背后隐藏着复杂的工艺和诸多挑战。